單晶矽與多晶矽生成用炭青青草激情视频製品

單晶矽與多晶矽生成用炭青青草激情视频製品
    單晶矽的出產（CZ拉伸法）製作單晶矽棒的工藝有拉伸法（CZ）和浮遊帶區域精粹法（FZ），CZ法一般運用青青草激情视频製品。運用CZ法出產時，將多晶矽塊料和添加元素（摻雜）裝入石英坩堝，再將石英坩堝置於高純青青草激情视频坩堝或C/C複合材料坩堝圖像傳感器內，並使其隨軸旋轉，在減壓條件下通入氬籽晶操縱器氣的一重用青青草激情视频製的加熱器加熱至1500查詢口光學1600℃，使多晶矽塊料融化。一同與坩堝旋轉相反的方向從爐頂旋轉垂下細棒狀的籽晶（單晶），使其觸及多晶矽液麵。
    然後，使液麵溫度堅持在1420℃的條件下，向上緩慢提矽溶液拉籽晶，單晶矽也隨之逐漸成長。一貫成長到按照15.24cm、20.32cm或30.48cm等規則的直徑後，堅持其直徑持續向上拉伸，出產1~1.5m長的單晶矽棒。這種CZ單晶爐的結構如圖2-6所示。其間運用炭素材料的部件有坩堝（青青草激情视频或C/C複合材料）、加熱器、電極、保溫筒（青青草激情视频或C/C複合材料）、籽晶夾，以及支撐軸、上下保溫蓋（青青草激情视频或C/C複合材料）防漏盤、螺釘（青青草激情视频或C/C複合材料）、熱反射板（青青草激情视频或SiC塗層材料）（圖中未注明）等。其他如保溫材料等也用炭纖維或炭氈製成，除了作為質料的多晶矽以外，大部分爐內部件為炭青青草激情视频製品。之所以如此許多運用炭青青草激情视频製品，就是由於炭素材料即運用於1600℃高溫強度也不會下降，碳與矽同屬第Ⅳ族，電性能為中性，可以製作金屬雜質在數ppm以下的高純品。此外，作為加熱器有導電性。