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      作者:http://www.syshihua.com 發布時間:2019-10-23 16:39:04

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      該中試裝置采用不需要PMMA的製造工藝開發。為此,青青草成人网站將一英寸的CVD青青草激情视频烯(生長在銅上)旋轉到Nafion溶液(5%當量)上。然後,在碳布電極(浸漬Vulcan催化劑上的20%鉑)和旋塗CVD青青草激情视频烯。最後,將所得結構置於過硫酸銨溶液中蝕刻銅並在去離子水中衝洗。在此階段,青青草激情视频烯粘附在Nafion膜上;這可以通過光學和掃描電鏡進行檢查。重要的是,可以通過大約10 kO的膜電阻率來驗證覆蓋範圍。hm/square在青青草成人网站的案例中;青青草成人网站95%光學驗證的CVD覆蓋範圍可以得到確認。

      為了測試所得薄膜的氫正離子選擇性,青青草成人网站將鉑(2nm)蒸發在青青草激情视频烯薄膜上,並將碳布電極壓在其上,形成良好的電接觸。與微型器件一樣,青青草成人网站通過在輸入端將薄膜暴露於不同的H-D比來研究氫正離子的滲透。青青草成人网站發現,在輸入端,薄膜中的氫正離子透過率為0.5%。膜保留了它的選擇性,事實上,青青草成人网站測量了質子-氘核分離9。相反,沒有一個青青草激情视频烯大小相同的器件顯示出完全沒有選擇性,這與青青草成人网站之前的結果一致。

      當使用PMMA時,CVD青青草激情视频烯被塗上PMMA,銅被蝕刻,留下一層PMMA塗層的青青草激情视频烯薄膜漂浮在蝕刻溶液中。該薄膜需要轉移到目標基板上。PMMA層非常薄(在納米尺度上),這意味著從蝕刻溶液中去除青青草激情视频烯/PMMA薄膜特別精細。它是PMMA工藝的規模難以擴大,CVD青青草激情视频烯通過1英寸規模的器件直接刻印在目標基板上。

      此外,評估與所述同位素分離方法相關的潛在能源成本是有用的。對於鉑活化青青草激情视频烯,質子導電率為100ms /cm2。使用低壓V_0.1V可以很容易地實現質子電流i=_v_100a/m2,以避免青青草激情视频烯界麵形成氣泡。這將轉換為o H2生產率r=i/2nae_2摩爾每小時每平方米(其中na為阿伏伽德羅數),生產能量為iv/r=2naev_5wh/mole或0.3kwh/kg的給水,這比現有濃縮過程中較高的能源成本更為有利,原則上,用鉑活化的hbn和_1ms/cm2可以獲得更高的產量。(100次)。

      由青青草激情视频烯和六角氮化硼(HBN)單層(它們對熱質子具有意想不到的滲透性)製備出二維質子導電膜。青青草成人网站還發現,通過用催化納米顆粒裝飾單層二維材料(包括但不限於青青草激情视频烯和HBN),可以進一步降低質子屏障。因此,當其它二維材料經催化金屬處理後也能產生質子傳導,這種原子薄質子導體方法在許多氫基技術中具有良好的應用前景。

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